絕緣襯底上硅片(SOI Wafer): 主要應(yīng)用于MEMS和先進(jìn)CMOS集成電路擴(kuò)散制程。 SOI硅片SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路中器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢。
SOI硅片有三層材料堆濺組成：頂層產(chǎn)品層(Device Layer)，中間絕緣層(BOX Layer) 以及底部襯底層(Handle Layer)。
SOI硅片通常都是獨(dú)特規(guī)格，用于制造出不同的終端應(yīng)用產(chǎn)品。恒麗鑫提供100mm, 150mm, 200mm等各類尺寸和不同規(guī)格的SOI硅片。
